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在開(kāi)關(guān)電源工作過(guò)程中，電磁干擾（EMI）的產(chǎn)生主要源于其獨(dú)特的工作原理。開(kāi)關(guān)電源
當(dāng)開(kāi)關(guān)電源中的電子開(kāi)關(guān)器件，如MOSFET，以極高頻率不斷地導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)，電路中的電流會(huì)發(fā)生急劇變化。根據(jù)電磁學(xué)原理，變化的電流會(huì)產(chǎn)生變化的磁場(chǎng)，而這個(gè)變化的磁場(chǎng)又會(huì)在周圍空間激發(fā)出變化的電場(chǎng)，如此交替形成電磁波向外輻射，這便是傳導(dǎo)型 EMI 的重要來(lái)源之一。
再者，電子開(kāi)關(guān)在瞬間導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)，由于線路存在寄生電感、電容等分布參數(shù)，會(huì)引發(fā)電壓、電流的尖峰脈沖。這些尖峰脈沖包含豐富的高頻成分，它們不僅會(huì)在電源內(nèi)部的線路之間相互耦合，形成干擾，還會(huì)通過(guò)電源線、接地線等途徑傳導(dǎo)到外部電路，對(duì)其他電子設(shè)備造成影響。
另外，開(kāi)關(guān)電源中的變壓器也是EMI 的 “肇事者” 之一。變壓器在高頻工作狀態(tài)下，其磁芯的磁化與退磁過(guò)程并非理想的線性變化，會(huì)產(chǎn)生磁滯損耗和渦流損耗，進(jìn)而引發(fā)磁通變化，產(chǎn)生電磁輻射。同時(shí)，繞組間的電容耦合以及漏感等因素，同樣會(huì)促使高頻能量以電磁干擾的形式泄漏出去。
為了降低開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾，工程師們通常會(huì)采取一系列措施，像在電路中加入EMI 濾波器，優(yōu)化 PCB（印刷電路板）布局，減小線路寄生參數(shù)，選用合適的磁芯材料與變壓器繞制工藝等，確保開(kāi)關(guān)電源既能高效工作，又不會(huì)對(duì)周邊電子設(shè)備 “搗亂”。
